碳化硅晶圓特性及切割要點導電型碳化硅，在切割時劃片刀摩擦可能產生局部放電。
碳化硅襯底尺寸格局根據電學性能差異區分，碳化硅襯底分為導電型襯底和半絕緣型襯底。
小米YU7大賣，帶動國產碳化硅供應鏈升級隨著小米旗下車型的大批量交付，將助力國產碳化硅供應鏈進一步完善升級。
碳化硅將迎來快速增長SiC襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、SiC應用的基石。
晶圓劃切過程中怎么測高？目前測量刀片磨損有兩種方式：接觸測高和非接觸測高。
劃片機參數設置，劃片刀刀高設置通過不斷的修改切割參數及工藝設定，與劃片刀達到一個穩定的平衡，可以有效解決崩邊問題的發生。
減薄對后續晶圓劃切的影響隨著工藝創新，“先劃片后減薄”（DBG）與“減薄劃片”（DBT）技術應運而生。
法拉第材料特性及切割要點法拉第旋轉片最核心的材料，有包括釔鐵石榴石(YIG)、鋱鎵石榴石(TGG)、鋱鋁石榴石(TAG)、稀土鐵石榴石(RIG)等在內的晶體材料。
晶圓劃切崩邊產生的成因及預防措施劃片刀磨粒平均顆粒尺寸、主軸轉速、工件進給速度和切削深度等條件都是影響脆性材料切割品質的重要因素。
熱烈祝賀西斯特科技榮膺市場表現獎！在剛剛落幕的深圳市集成電路產業總結大會暨深圳市半導體行業協會第八屆第二次會員大會上，深圳西斯特科技有限公司憑借卓越的市場表現與創新力，榮獲市場表現獎！這一榮譽不僅是對公司深耕行業、勇攀高...
